汽車工業正在采納一系列新型非易失性存儲器技術，包括MRAM、相變存儲器（PCRAM）和RRAM。這些先進的存儲器技術在汽車運行狀態轉換期間的數據存儲和檢索方面帶來了顯著的提升。
 
    MRAM技術在汽車領域擁有廣泛的應用前景。得益于MRAM技術與標準CMOS技術的兼容性，它可以被嵌入到動力總成微處理器中（目前MRAM已嵌入到一些非汽車微處理器中）。然而，目前將MRAM集成到動力總成硅片中最經濟有效的方法是采用芯片堆疊技術，原因如下：
 
    • 從動力總成硅片中移除存儲器陣列可以縮小其尺寸，進而增加每個晶圓的芯片數量，同時提升芯片產量。這兩方面的改進都有助于降低動力總成硅片的成本。
 
    • 芯片堆疊技術已經發展到一個可接受的質量水平。因此，將已知良好芯片（KGD）的MRAM堆疊在已知良好的動力總成芯片上，提供了一種成本效益最高的解決方案。這種集成方式將成本最低的CMOS芯片與成本最低的MRAM芯片結合在一起。
 
    目前成熟、可用、性能強大的MRAM技術似乎是將MRAM技術融入汽車應用中的最理想方式。我司英尚微電子代替提供NETSOL 、EVERSPIN MRAM存儲芯片，提供產品相關技術支持和樣品測試。


本文關鍵詞：MRAM

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