該公司在10月發(fā)布的第三季度財(cái)報(bào)中透露，受人工智能相關(guān)存儲(chǔ)產(chǎn)品需求激增推動(dòng)，其DRAM與NAND閃存的所有產(chǎn)品線，截至明年的產(chǎn)能均已被客戶預(yù)訂一空。這一趨勢(shì)表明，AI基礎(chǔ)設(shè)施的全面建設(shè)正在顯著拉動(dòng)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)需求。
 

業(yè)績(jī)方面，SK海力士第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比大幅增長(zhǎng)62%，達(dá)到11.38萬(wàn)億韓元（約合80億美元），銷售額也攀升至24.45萬(wàn)億韓元，雙雙創(chuàng)下歷史新高。
 

作為英偉達(dá)高帶寬存儲(chǔ)芯片（HBM）的核心供應(yīng)商，SK海力士憑借在該領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，正成為AI算力競(jìng)賽中的關(guān)鍵受益者。
 

不過(guò)，盡管SK海力士目前占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，但競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)正日趨激烈。三星和美光均在HBM領(lǐng)域加速追趕。三星電子已于上月通過(guò)英偉達(dá)對(duì)其先進(jìn)HBM產(chǎn)品的資格測(cè)試，而美光也已開(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)部分HBM芯片。
 

面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，SK海力士計(jì)劃通過(guò)差異化技術(shù)路線鞏固其在AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。公司計(jì)劃加快向已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)的最先進(jìn)1c納米（第六代10納米級(jí)）制程過(guò)渡，并擴(kuò)大基于321層NAND閃存的產(chǎn)品供應(yīng)。
 

行業(yè)分析預(yù)計(jì)，HBM的供應(yīng)緊張局面將持續(xù)至2027年。由AI帶動(dòng)的高性能存儲(chǔ)芯片需求，正在深刻重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。
 

本文關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)芯片
 

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