XRAM是一種旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能ram的新型內存體系結構.XRAM使用先進的DRAM技術和自刷新體系結構顯著提高了內存密度并簡化了用戶界面。
 
XRAM是一種基于先進的DRAM工藝，再結合星憶創新的三態DRAM和免刷新DRAM兩種專利技術的新型存儲器件。不同于傳統的DRAM芯片和SRAM，它具有以下特點：
• 成本 同等條件下晶圓面積節省30% ，晶圓產出預估可以增加25%
• 速度, 數據讀取延時達到10ns級，相比DRAM要快10倍
• 存儲密度, 單片支持Mbit和Gbit
• 功耗, 存儲陣列損耗減少40%
• 無刷新, 簡化控制器設計和時序操作，完全隨機訪問，提高總線利用率
• 高可靠性，支持-40~125攝氏度環境溫度
 
 
XM8A01M16V33A在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能16M CMOS國產SRAM存儲器芯片，組織為1024K字乘以16位和2048K字乘以8位，支持異步SRAM存儲芯片接口。
     
XM8A01M16V33A特征
•異步XRAM芯片內存
•高速訪問時間
•tAA = 10/12納秒
•低有功功率
•ICC = 80 MHz時為75 mA
•低CMOS待機電流
•ISB2 = 40 mA（典型值）
•工作電壓范圍：2.2 V至3.6 V
•取消選擇時自動掉電
•TTL兼容的輸入和輸出
•提供44引腳TSOP II，48引腳TSOP I封裝和48焊球FBGA封裝
 
星憶存儲專注于XRAM產品開發設計，提供高性能和低延時，低功耗及免刷新動態隨機存儲器芯片產品。致力于通過創新型存儲芯片技術商業化、產業化的過程，帶動國產存儲器芯片的底層技術攻關和相關科研工作，從而推動國產存儲芯片設計前端產業變革和更進一步的發展。星憶存儲代理商英尚微電子支持提供驅動、例程、必要的FAE支持等技術支持。
 

 

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。

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