繼以DRAM為代表的高帶寬存儲器（HBM）之后，人工智能（AI）存儲器半導體領域的NAND閃存市場競爭愈演愈烈。
 
    三星電子和SK海力士正在加大力度提升NAND技術和產品的性能和容量，以應對不斷增長的人工智能需求。于4月開始量產業界首個1太比特(Tb)三層單元(TLC)第9代V-NAND，彰顯其領先技術。
 
    在激烈的分層競爭中，三星電子繼主打產品236層第八代V-NAND之后，又推出了290層第九代V-NAND，占據了市場主動。
 
    第九代V-NAND采用新一代NAND閃存接口Toggle5.1，數據輸入輸出速度可達每秒3.2千兆位（Gbps），較第八代V-NAND提升33%。
 
    三星電子計劃以其第9代V-NAND引領AISSD市場，旨在第二季度開發并提供超高容量64太字節(TB)SSD樣品。
 
    在鞏固了HBM領域領導地位后，SK海力士還顯露出了引領NAND領域AI內存市場的雄心。
 
    SK海力士近期成功開發出用于設備內置AI移動NAND解決方案的“ZonedUFS4.0”（ZUFS4.0），將用于具備AI功能的智能手機。ZUFS4.0針對移動設備內置AI進行了優化，據稱可提供業界最高的性能。與傳統UFS相比，它在長期使用環境下可將智能手機上的應用啟動時間縮短約45%，同時還將讀寫性能降低4倍，并將產品使用壽命延長約40%。
 
    SK海力士計劃積極增加高性能16通道企業級SSD（eSSD）及其子公司Solidigm基于QLC的大容量eSSD的銷售。SK海力士還將及時推出適用于AIPC的PCIe第五代消費級SSD（cSSD），并優化產品陣容以滿足市場需求。
 
    AI讓原本舉步維艱的NAND市場重新煥發活力，AI服務器采購量的爆發式增長也帶動了AI服務器所需的高性能、大容量SSD需求的大幅上漲。配備設備內置AI的個人電腦和智能手機的發布也推動了對NAND的需求。


本文關鍵詞：NAND閃存

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