PSRAM，顧名思義，是一種“偽裝”成SRAM的存儲器。它本質上是將DRAM的存儲核心（高密度、低成本）與一個自刷新電路以及一個兼容SRAM的接口相結合。從外部設備（如CPU或MCU）的角度來看，它就像一個標準的SRAM芯片——無需復雜的刷新管理，給地址、發命令即可讀寫數據。但在psram芯片內部，數據是以電容電荷的形式存儲在類似于DRAM的單晶體管單元中。
英尚PSRAM芯片采用了與DRAM相同的高密度存儲核心（1T1C），從而在相同成本下獲得遠超SRAM的存儲容量。芯片內部集成了必要的刷新邏輯，將繁瑣的刷新任務“封裝”起來。對外，它呈現出標準的SRAM接口協議。這意味著系統設計師可以像使用SRAM一樣使用它，無需增加額外的內存控制器來處理刷新，極大地簡化了硬件設計和軟件驅動開發。英尚推出的SPI接口PSRAM芯片，僅需少數幾根信號線即可實現連接，引腳數僅為傳統并行DRAM的三分之一，大大節省了PCB空間，簡化了布線。
以一個典型的SPI接口PSRAM芯片為例，其工作流程如下：
當系統級芯片（SoC）的CPU需要訪問映射到PSRAM區域的某個地址時，地址信號并非直接發送給PSRAM顆粒。CPU會先訪問其內部的內存管理單元，識別出該地址屬于外部PSRAM空間，隨即將請求轉發給集成的或外置的PSRAM控制器。該控制器會根據SPI協議，將訪問請求（地址和讀寫命令）通過串行總線發送給PSRAM芯片。PSRAM芯片在內部完成數據的讀取或寫入操作后，將數據通過SPI總線返回給控制器，最終傳回給CPU。對于CPU而言，整個交互過程與訪問傳統的并行SRAM沒有任何區別，實現了無縫的透明訪問。
基于這種獨特的結構，英尚PSRAM芯片在應用中展現出多方面的優勢：
①相比于SRAM，PSRAM能以顯著更低的成本提供更大的存儲空間。
②psram芯片內部集成的刷新機制比傳統DRAM依賴外部控制器進行刷新更高效。同時，PSRAM支持深睡眠等省電模式，待機功耗極低。
③PSRAM擺脫了對復雜DRAM控制器的依賴，任何具備基本并行或串行接口的處理器都能輕松連接。
④英尚的QSPI/OSPI接口PSRAM產品支持四倍甚至八倍數據率傳輸。在串行接口模式下，其傳輸速度可以輕松超過3Gbps，足以滿足圖形緩沖、音頻處理等對帶寬有一定要求的應用。
