Everspin公司是磁性隨機存儲器（MRAM）和集成磁（Integrated Magnetic）產

品的全球領導者

 

主要從事：磁性隨機存儲器(MRAM)與傳感器的開發和制造工作

目標市場：儲存、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、消費、運輸、和航空電子

 

MRAM芯片特性

• MRAM讀取/寫入周期時間：35ns；

• 真正無限次擦除使用；

• 業內最長的壽命和數據保存時間----超過20年的非揮發特性；

• 單芯片最高容量為16Mb；

• 快速、簡單接口----16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口；

• 具有成本效益----簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(1T-1MTJ)位單元；

• 最佳等級的軟錯誤率----遠比其它內存優異；

• 可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及BBSRAM的 功能于一身；

• 具備商業級、工業級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍；

• 符合RoHS規范：無電池、無鉛；

• 小封裝：TSOP、VGA、DFN。

本文關鍵詞：EVERSPIN

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