MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM通常被稱(chēng)為“存儲(chǔ)器的圣杯”，具有快速，高密度和非易失性的特點(diǎn)，可以在單個(gè)芯片中替代當(dāng)今使用的所有類(lèi)型的存儲(chǔ)器。
 
Everspin是全球唯一的磁性RAM（MRAM）產(chǎn)品商業(yè)制造商。Everspin產(chǎn)品憑借其非常成功的ToggleMRAM技術(shù)，被用于從汽車(chē)，航空和存儲(chǔ)系統(tǒng)到工業(yè)自動(dòng)化，航空航天等領(lǐng)域的各種應(yīng)用。我司英尚微電子everspin代理,主要提供用戶(hù)各種容量大小的MRAM芯片產(chǎn)品,提供完善的產(chǎn)品技術(shù)和解決方案。
 
Everspin Technologies宣布已修訂與GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議（JDA），以為高級(jí)12nm FinFETMRAM解決方案的未來(lái)項(xiàng)目設(shè)定條件。Everspin協(xié)議包括40nm，28nm和22nm工藝，現(xiàn)在還包括12nm。
     
GF最近宣布已在其22FDX平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了嵌入式MRAM（eMRAM）的初步生產(chǎn)。


Everspin MRAM  128Kb

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / Tray	MOQ / T&R
128Kb	16Kx8	MR25H128ACDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128ACDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128APDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128APDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128AMDF	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128AMDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000

本文關(guān)鍵詞： MRAM

相關(guān)文章：快速寫(xiě)入的高密度MRAM技術(shù)?

深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性?xún)r(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。